رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AON6210
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AON6210-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 28A/85A 8DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 85A (Tc) 2.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
المخزون:
12849780
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AON6210 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
28A (Ta), 85A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6300 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.3W (Ta), 83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-DFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerSMD, Flat Leads
رقم المنتج الأساسي
AON62
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
785-1401-6
785-1401-2
785-1401-1
5202-AON6210TR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TPH1R403NL,L1Q
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
4892
DiGi رقم الجزء
TPH1R403NL,L1Q-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
CSD17556Q5BT
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
942
DiGi رقم الجزء
CSD17556Q5BT-DG
سعر الوحدة
1.20
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AON6502
MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8DFN
FQA7N60
MOSFET N-CH 600V 7.7A TO3P
FQD7P20TM
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
