رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AONR36326C
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AONR36326C-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 12A (Tc) 3.1W (Ta), 20.5W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
المخزون:
13270532
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
MD3i
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AONR36326C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta), 12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.8mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
540 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 20.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-DFN-EP (3x3)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
AONR363
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
5202-AONR36326CTR
785-AONR36326CTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOTS21319C
MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
AOSN32338C
MOSFET N-CH 30V 3.7A SC70-3
AO4402G
MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC
