رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOTF2610L
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOTF2610L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 9A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 31W (Tc) Through Hole TO-220F
المخزون:
12850373
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOTF2610L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta), 35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2007 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta), 31W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
AOTF2610
مواصفات تقنية ومستندات
رسومات المنتج
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
5202-AOTF2610L
785-1638-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK40A06N1,S4X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
480
DiGi رقم الجزء
TK40A06N1,S4X-DG
سعر الوحدة
0.42
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQPF15P12
MOSFET P-CH 120V 15A TO220F
FDS6673BZ
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
BSO130P03SHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
