CMS06N10V8-HF

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

CMS06N10V8-HF

Product Overview

المُصنّع:

Comchip Technology

رقم الجزء DiGi Electronics:

CMS06N10V8-HF-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8DFN

وصف تفصيلي:

N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 1.7W (Ta), 10.4W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

13080498

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

CMS06N10V8-HF المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Comchip Technology

تعبئة

-

سلسلة

-

التغليف

Tape & Reel (TR)

حالة الجزء

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

100 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

6.8A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

105mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

26.2 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1535 pF @ 15 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.7W (Ta), 10.4W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)

العبوة / العلبة

8-PowerWDFN

رقم المنتج الأساسي

CMS06

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

641-CMS06N10V8-HFTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

rohm-semi

RCJ120N25TL

MOSFET N-CH 250V 12A LPT

comchip-technology

CMS02P06T6-HF

MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23-6

rohm-semi

RTQ045N03HZGTR

MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6

comchip-technology

CMS40N03V8-HF

MOSFET N-CH 30V 25A/40A 8DFN