رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS138DWQ-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS138DWQ-7-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 50V 200mA 200mW Surface Mount SOT-363
المخزون:
58147 قطع جديدة أصلية في المخزون
12888196
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS138DWQ-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SOT-363
رقم المنتج الأساسي
BSS138
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSS138DWQ-7-DG
BSS138DWQ-7DITR
BSS138DWQ-7DICT
BSS138DWQ-7DIDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMT3011LDT-7
MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN
DMP4050SSDQ-13
MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO
DI9945T
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
