رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN4800LSS-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN4800LSS-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
22578 قطع جديدة أصلية في المخزون
12882581
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
pu1g
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN4800LSS-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.6V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.47 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
798 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.46W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
DMN4800
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
DMN4800LSSDIDKR
DMN4800LSSDITR
DMN4800LSS13
DMN4800LSSDICT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMTH3004LFG-13
MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333
DMP3085LSS-13
MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO
DMT10H009LPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
