رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMTH31M7LPSQ-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMTH31M7LPSQ-13-DG
وصف:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 100A (Tc) 1.3W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
المخزون:
12979261
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
iKYS
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMTH31M7LPSQ-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Ta), 100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5741 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.3W (Ta), 113W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerDI5060-8
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
31-DMTH31M7LPSQ-13TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCP25N60N-F102
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
DMP68D0LFB-7B
MOSFET BVDSS: 61V~100V X2-DFN100
NVMFS4C308NWFT1G
TRENCH 30V NCH
