رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMN10A11GTC
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMN10A11GTC-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 1.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
المخزون:
12904031
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
h7Sy
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMN10A11GTC المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
350mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
274 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223-3
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQT7N10LTF
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
55
DiGi رقم الجزء
FQT7N10LTF-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STN2NF10
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
7551
DiGi رقم الجزء
STN2NF10-DG
سعر الوحدة
0.41
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
ZXMN10A11GTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
1708
DiGi رقم الجزء
ZXMN10A11GTA-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZVN2110ASTZ
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
IXTA88N085T7
MOSFET N-CH 85V 88A TO263-7
ZVN3310A
MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
