رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMP6A17DN8TA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMP6A17DN8TA-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 2.7A 1.81W Surface Mount 8-SO
المخزون:
1405 قطع جديدة أصلية في المخزون
12903384
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
qZRh
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMP6A17DN8TA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.7A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
125mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA (Min)
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17.7nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
637pF @ 30V
الطاقة - الحد الأقصى
1.81W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
ZXMP6A17
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
ZXMP6A17DN8TR
ZXMP6A17DN8TR-NDR
ZXMP6A17DN8CT
ZXMP6A17DN8DKR-NDR
ZXMP6A17DN8DKR
ZXMP6A17DN8CT-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS138DW-7-F
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
ZXMN3A06DN8TC
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
ZXMD65P03N8TA
MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
