رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSB056N10NN3GXUMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSB056N10NN3GXUMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 83A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
المخزون:
11611 قطع جديدة أصلية في المخزون
12802534
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSB056N10NN3GXUMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta), 83A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5500 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
MG-WDSON-2, CanPAK M™
العبوة / العلبة
3-WDSON
رقم المنتج الأساسي
BSB056
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSB056N10NN3 G-DG
BSB056N10NN3 GDKR-DG
BSB056N10NN3 GDKR
BSB056N10NN3 G
BSB056N10NN3 GCT
2156-BSB056N10NN3GXUMA1TR
BSB056N10NN3GXUMA1TR
BSB056N10NN3G
BSB056N10NN3 GTR-DG
BSB056N10NN3 GCT-DG
SP000604540
BSB056N10NN3GXT
BSB056N10NN3GXUMA1CT
BSB056N10NN3GXUMA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPU80R1K4CEAKMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
IRF6216TRPBF
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
IRF7210PBF
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO