رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS192PH6327FTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS192PH6327FTSA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
وصف تفصيلي:
P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
المخزون:
22508 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799425
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS192PH6327FTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
190mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 130µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
104 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT89
العبوة / العلبة
TO-243AA
رقم المنتج الأساسي
BSS192
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
BSS192PH6327FTSA1CT
SP001047642
BSS192PH6327FTSA1TR
BSS192PH6327FTSA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSA223SP
MOSFET P-CH 20V 390MA SC75
BSC082N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
BSO051N03MS G
MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
