الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Saudi Arabia
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Saudi Arabia
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD135N03LGXT
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD135N03LGXT-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12801258
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD135N03LGXT المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
13.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1000 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
31W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD135N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
IPD135N03LGXT
ورقة بيانات HTML
IPD135N03LGXT-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IPD135N03LGINDKR
IPD135N03LGINTR-DG
IPD135N03LGINCT
IPD135N03LGINTR
IPD135N03LGXTTR
IPD135N03LGINDKR-DG
IPD135N03LG
IPD135N03LGXTCT
IPD135N03LGINCT-DG
IPD135N03LGXTDKR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SUD50N03-06AP-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
4333
DiGi رقم الجزء
SUD50N03-06AP-E3-DG
سعر الوحدة
0.58
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMN3016LK3-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
11562
DiGi رقم الجزء
DMN3016LK3-13-DG
سعر الوحدة
0.15
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPD135N03LGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
31780
DiGi رقم الجزء
IPD135N03LGATMA1-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
BUK9214-30A,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
32336
DiGi رقم الجزء
BUK9214-30A,118-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPC100N04S51R7ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IPL65R420E6AUMA1
MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK
IPB11N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
IPD60R520CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3