رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD60R2K0C6ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD60R2K0C6ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 22.3W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
2500 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804780
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD60R2K0C6ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ C6
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2Ohm @ 760mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 60µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
140 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
22.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD60R
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
448-IPD60R2K0C6ATMA1CT
448-IPD60R2K0C6ATMA1DKR
SP001117714
IPD60R2K0C6ATMA1-DG
448-IPD60R2K0C6ATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP45N06S409AKSA2
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
IRFR7546TRPBF
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
IRFIB41N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB FP
