رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP60R105CFD7XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP60R105CFD7XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N CH
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 106W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
المخزون:
177 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804850
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
cK5R
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP60R105CFD7XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ CFD7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
105mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 470µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1752 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
106W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP60R105
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
IPP60R105CFD7XKSA1-DG
448-IPP60R105CFD7XKSA1
SP001715624
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFHM830TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
IPD60R600P6
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
IRFR3711TRPBF
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
