رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF250P224
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF250P224-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 96A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
المخزون:
323 قطع جديدة أصلية في المخزون
12815481
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF250P224 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
StrongIRFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
96A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 270µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
203 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9915 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
313W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AC
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IRF250
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
اسماء اخرى
448-IRF250P224
IRF250P224-DG
SP001582438
2156-IRF250P224
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DN3525N8-G
MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
IPA075N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
CSD18511KTTT
MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK
