رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7301PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7301PBF-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 5.2A 2W Surface Mount 8-SO
المخزون:
12806768
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7301PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.2A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
700mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
660pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
IRF73
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
95
اسماء اخرى
SP001571442
2156-IRF7301PBF
INFINFIRF7301PBF
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN2041LSD-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
4949
DiGi رقم الجزء
DMN2041LSD-13-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF5810TR
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
IRF9956PBF
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
IRFH4257DTRPBF
MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
