رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7468TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7468TRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 9.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
12804910
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7468TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15.5mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2460 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
SP001570352
*IRF7468TRPBF
IRF7468PBFTR
IRF7468TRPBF-DG
IRF7468TRPBFTR-DG
IRF7468PBFCT
IRF7468PBFDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDS4480
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2156
DiGi رقم الجزء
FDS4480-DG
سعر الوحدة
0.39
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF7842TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
13970
DiGi رقم الجزء
IRF7842TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.68
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFR3410TRRPBF
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
IRFS3806TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
IRF7233
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO