رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF8736TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF8736TRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
11359 قطع جديدة أصلية في المخزون
12809107
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF8736TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.35V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2315 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
IRF8736
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRF8736TRPBFCT
IRF8736TRPBFDKR
SP001551638
IRF8736TRPBFTR
2156-IRF8736TRPBFTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TN0106N3-G-P003
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
IRF6613TR1PBF
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
IPB80N06S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
