رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFH5250DTRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFH5250DTRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 40A/100A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
المخزون:
12804917
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
FO24
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFH5250DTRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Ta), 100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.35V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6115 pF @ 13 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
IRFH5250
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRFH5250DTRPBF-DG
SP001577928
IRFH5250DTRPBFDKR
IRFH5250DTRPBFTR
IRFH5250DTRPBFCT
2166-IRFH5250DTRPBF-448
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
CSD16401Q5
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
5449
DiGi رقم الجزء
CSD16401Q5-DG
سعر الوحدة
1.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
CSD17556Q5BT
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
942
DiGi رقم الجزء
CSD17556Q5BT-DG
سعر الوحدة
1.20
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7805ZTRPBF
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
IRFH7932TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
IRFSL7734PBF
MOSFET N-CH 75V 183A TO262
