رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRLU3802PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRLU3802PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 12V 84A I-PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 12 V 84A (Tc) 88W (Tc) Through Hole IPAK
المخزون:
12806960
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRLU3802PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
84A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.9V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
41 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2490 pF @ 6 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
88W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
IPAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
*IRLU3802PBF
SP001559000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIPC30N60C3X1SA2
TRANSISTOR N-CH
IRLBA3803P
MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220
IRLL3303TRPBF
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
