رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ISC037N12NM6ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
ISC037N12NM6ATMA1-DG
وصف:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
وصف تفصيلي:
N-Channel 120 V 19.2A (Ta), 163A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
المخزون:
6481 قطع جديدة أصلية في المخزون
12992709
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ISC037N12NM6ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™ 6
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
120 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19.2A (Ta), 163A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.6V @ 111µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4300 pF @ 60 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 214W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8 FL
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
ISC037
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
448-ISC037N12NM6ATMA1DKR
448-ISC037N12NM6ATMA1CT
448-ISC037N12NM6ATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ISZ106N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
ISC104N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
DMN2991UFZQ-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-
