رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ISP25DP06NMXTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
ISP25DP06NMXTSA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
المخزون:
3973 قطع جديدة أصلية في المخزون
12807335
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ISP25DP06NMXTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.9A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
250mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 270µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
420 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223-4
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
ISP25DP06
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP004987272
ISP25DP06NMXTSA1-DG
448-ISP25DP06NMXTSA1DKR
448-ISP25DP06NMXTSA1TR
448-ISP25DP06NMXTSA1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFB4510GPBF
MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB
SPD08N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
SPD04N50C3BTMA1
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO252-3
