رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTP96P085T
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTP96P085T-DG
وصف:
MOSFET P-CH 85V 96A TO220AB
وصف تفصيلي:
P-Channel 85 V 96A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
8670 قطع جديدة أصلية في المخزون
12821671
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTP96P085T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
TrenchP™
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
85 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
96A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
13mOhm @ 48A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±15V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13100 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
298W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IXTP96
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFN300N20X3
MOSFET N-CH 200V 300A SOT227B
IXTA200N085T7
MOSFET N-CH 85V 200A TO263-7
IXFN38N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
