رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
JAN2N6800
Product Overview
المُصنّع:
Microsemi Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
JAN2N6800-DG
وصف:
MOSFET N-CH 400V 3A TO39
وصف تفصيلي:
N-Channel 400 V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
المخزون:
12928976
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
JAN2N6800 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microsemi
تعبئة
-
سلسلة
Military, MIL-PRF-19500/557
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34.75 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
800mW (Ta), 25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-39
العبوة / العلبة
TO-205AF Metal Can
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
JAN2N6800-DG
JAN2N6800-MIL
150-JAN2N6800
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTB90N02T4G
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
IPD50P04P413ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
JANTXV2N6800U
MOSFET N-CH 400V 3A 18ULCC