رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTE81
Product Overview
المُصنّع:
NTE Electronics, Inc
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTE81-DG
وصف:
TRANS NPN 30V 0.5A TO99
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 500 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-99
المخزون:
27 قطع جديدة أصلية في المخزون
12923343
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTE81 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
NTE Electronics, Inc.
تعبئة
Bag
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.2V @ 30mA, 300mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
15nA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
40 @ 150mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
625 mW
التردد - الانتقال
250MHz
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-99-6 Metal Can
حزمة جهاز المورد
TO-99
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2368-NTE81
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
