رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SD734E-AA
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SD734E-AA-DG
وصف:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 700 mA 250MHz 600 mW Through Hole 3-NP
المخزون:
307500 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946170
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
7QBG
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SD734E-AA المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
700 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
20 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 50mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
600 mW
التردد - الانتقال
250MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
-
تأهيل
-
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
حزمة جهاز المورد
3-NP
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,025
اسماء اخرى
ONSONS2SD734E-AA
2156-2SD734E-AA
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BCP51
TRANS PNP 45V 1.5A SOT223-4
BUJD203A,127
NOW WEEN - BUJD203A - POWER BIPO
BC548BTA
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
