رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCMT125N65S3
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCMT125N65S3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)
المخزون:
965 قطع جديدة أصلية في المخزون
12847376
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCMT125N65S3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SuperFET® III
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 590µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1920 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
181W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
4-PQFN (8x8)
العبوة / العلبة
4-PowerTSFN
رقم المنتج الأساسي
FCMT125
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FCMT125N65S3OSTR
FCMT125N65S3OSDKR
2156-FCMT125N65S3TR
FCMT125N65S3OSCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMC7660
MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
FCPF20N60TYDTU
MOSFET N-CH 600V 20A TO220F-3
FDB6670AL
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
