رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDB2614
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDB2614-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 62A (Tc) 260W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
1095 قطع جديدة أصلية في المخزون
12850985
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDB2614 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
62A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
27mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7230 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
260W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FDB261
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
2156-FDB2614-OS
2832-FDB2614
FDB2614DKR
FDB2614TR
ONSONSFDB2614
FDB2614CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDU6N25
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
FDPF2D3N10C
MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
FDD26AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
