رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMS7602S
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMS7602S-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 12A, 17A 1W Surface Mount Power56
المخزون:
1180 قطع جديدة أصلية في المخزون
12850341
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
vvMT
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMS7602S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A, 17A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1750pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
حزمة جهاز المورد
Power56
رقم المنتج الأساسي
FDMS7602
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMS7602SCT
FDMS7602STR
FDMS7602SDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ECH8601M-P-TL-H
MOSFET 2N-CH ECH8
FDMS3604S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
AO4805L_101
MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
