FDMS86202ET120

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMS86202ET120

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMS86202ET120-DG

وصف:

MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56

وصف تفصيلي:

N-Channel 120 V 13.5A (Ta), 102A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12840057

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

Yisq

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDMS86202ET120 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

120 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

13.5A (Ta), 102A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

6V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

7.2mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

4V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

64 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

4585 pF @ 60 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3.3W (Ta), 187W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-PQFN (5x6)

العبوة / العلبة

8-PowerTDFN

رقم المنتج الأساسي

FDMS86202

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

FDMS86202ET120-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDMS86202ET120TR

FDMS86202ET120CT

FDMS86202ET120DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FQA36P15

MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN

PCFG40N120ANF

MOSFET N-CH

onsemi

FQPF5N50CFTU

MOSFET N-CH 500V 5A TO220F

onsemi

NTB125N02RT4

MOSFET N-CH 24V 125A D2PAK