رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDZ298N

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDZ298N-DG

وصف:

MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA

وصف تفصيلي:

N-Channel 20 V 6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (1.5x1.6)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12849562

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDZ298N المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

6A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

2.5V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

27mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

10 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±12V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

680 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.7W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

9-BGA (1.5x1.6)

العبوة / العلبة

9-WFBGA

رقم المنتج الأساسي

FDZ29

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

alpha-and-omega-semiconductor

AO4411

MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AOI9N50

MOSFET N-CH 500V 9A TO251A

alpha-and-omega-semiconductor

AOD407

MOSFET P-CH 60V 12A TO252

onsemi

HUFA75309D3S

MOSFET N-CH 55V 19A TO252AA