رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQB25N33TM-F085
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQB25N33TM-F085-DG
وصف:
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 330 V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12836972
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQB25N33TM-F085 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
330 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
230mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
75 nC @ 15 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2010 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FQB2
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FQB25N33TM_F085
FQB25N33TM-F085OSCT
FQB25N33TM-F085OSDKR
FQB25N33TM-F085OSTR
FQB25N33TM_F085-DG
2832-FQB25N33TM-F085TR
2832-FQB25N33TM-F085-488
FQB25N33TM-F085-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFA26N50P3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFA26N50P3-DG
سعر الوحدة
3.90
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSZ065N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
FDB016N04AL7
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
FDMC8327L
MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
