الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Saudi Arabia
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Saudi Arabia
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQD4N50TF
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQD4N50TF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12838869
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
w
t
n
W
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQD4N50TF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
460 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD4
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
FQD4N50TF
ورقة بيانات HTML
FQD4N50TF-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK3P50D,RQ(S
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
1899
DiGi رقم الجزء
TK3P50D,RQ(S-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFR420TRRPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRFR420TRRPBF-DG
سعر الوحدة
0.61
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD3NK50ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2443
DiGi رقم الجزء
STD3NK50ZT4-DG
سعر الوحدة
0.42
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPD50R3K0CEAUMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
15854
DiGi رقم الجزء
IPD50R3K0CEAUMA1-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOD3N50
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
8729
DiGi رقم الجزء
AOD3N50-DG
سعر الوحدة
0.21
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQD13N10TF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
FCPF11N65_G
INTEGRATED CIRCUIT
FQA24N50
MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
FDMC7696
MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP