رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NSVMMUN2114LT3G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NSVMMUN2114LT3G-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
المخزون:
12860243
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
D2u2
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NSVMMUN2114LT3G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
10 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
الطاقة - الحد الأقصى
246 mW
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3 (TO-236)
رقم المنتج الأساسي
NSVMMUN2114
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
2832-NSVMMUN2114LT3G-488
2832-NSVMMUN2114LT3GTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PDTA114YT,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2738
DiGi رقم الجزء
PDTA114YT,215-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DTA114YCAT116
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
13
DiGi رقم الجزء
DTA114YCAT116-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
UNR9216J0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SSMINI3
UNRF1A300A
TRANS PREBIAS PNP 50V ML3-N2
UNR321N00L
TRANS PREBIAS NPN 50V SSSMINI3