رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD4815NT4G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD4815NT4G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 6.9A (Ta), 35A (Tc) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
12857789
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD4815NT4G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.9A (Ta), 35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 11.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.6 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
770 pF @ 12 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
NTD48
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
ONSONSNTD4815NT4G
2156-NTD4815NT4G-ONTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PHT6NQ10T,135
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4949
DiGi رقم الجزء
PHT6NQ10T,135-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BUK9214-30A,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
32336
DiGi رقم الجزء
BUK9214-30A,118-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTD80N02G
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
NVMFS5C442NWFAFT3G
MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN
2SK1339-E
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
