رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTHD5904T1
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTHD5904T1-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 3.1A 1.1W Surface Mount ChipFET™
المخزون:
12857113
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
ZllZ
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTHD5904T1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.1A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
600mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
الطاقة - الحد الأقصى
1.1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد
ChipFET™
رقم المنتج الأساسي
NTHD59
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
ONSONSNTHD5904T1
2156-NTHD5904T1
NTHD5904T1OS
2156-NTHD5904T1-ONTR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVMFD5C680NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
NTJD2152PT1G
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
VEC2415-TL-EX
MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8