رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMFS6H824NWFT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMFS6H824NWFT1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 19A (Ta), 103A (Tc) 3.8W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
المخزون:
12856348
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMFS6H824NWFT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Ta), 103A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 140µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2470 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 115W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount, Wettable Flank
حزمة جهاز المورد
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NVMFS6
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
488-NVMFS6H824NWFT1GTR
488-NVMFS6H824NWFT1GCT
488-NVMFS6H824NWFT1GDKR
NVMFS6H824NWFT1G-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVC6S5A444NLZT2G
MOSFET N-CH 60V 3.5A 6CPH
NVD5490NLT4G
MOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK-3
NTMFS4C054NT1G
MOSFET N-CH 30V 22.5A/80A 5DFN