الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Saudi Arabia
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Saudi Arabia
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DRA2124E0L
Product Overview
المُصنّع:
Panasonic Electronic Components
رقم الجزء DiGi Electronics:
DRA2124E0L-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A MINI3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount MINI3-G3-B
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12842302
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
e
S
C
z
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DRA2124E0L المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Panasonic
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
22 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
22 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
60 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
MINI3-G3-B
رقم المنتج الأساسي
DRA2124
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DRA2124E0LDKR
DRA2124E0L-DG
DRA2124E0LCT
DRA2124E0LTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PDTA124ET,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
12322
DiGi رقم الجزء
PDTA124ET,215-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MUN2134T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
MUN2134T1G-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PDTA124XT,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
1672
DiGi رقم الجزء
PDTA124XT,215-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MUN2112T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
11998
DiGi رقم الجزء
MUN2112T1G-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
DTA124ECAT116
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2028
DiGi رقم الجزء
DTA124ECAT116-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SDTC144EET1G
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
MMUN2114LT1
TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23
BCR 119T E6327
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
MMUN2133LT1G
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3