PJD3NA50_L2_00001
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

PJD3NA50_L2_00001

Product Overview

المُصنّع:

Panjit International Inc.

رقم الجزء DiGi Electronics:

PJD3NA50_L2_00001-DG

وصف:

500V N-CHANNEL MOSFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 3A (Ta) 34W (Tc) Surface Mount TO-252

المخزون:

12974368
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
tdaN
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

PJD3NA50_L2_00001 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
PANJIT
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
260 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
34W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
PJD3NA50

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
3757-PJD3NA50_L2_00001TR
3757-PJD3NA50_L2_00001CT
3757-PJD3NA50_L2_00001DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SISS588DN-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM10N954L,EFF

COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13

panjit

PJW5N06A-AU_R2_000A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ4441P-AU_R2_000A1

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M