رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DTA123ECAT116
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
DTA123ECAT116-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SST3
المخزون:
2650 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524644
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DTA123ECAT116 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
2.2 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
2.2 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
20 @ 20mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SST3
رقم المنتج الأساسي
DTA123
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DTA123ECAT116CT
DTA123ECAMGT116
DTA123ECAT116TR
DTA123ECAT116DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
NSVMMUN2131LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
9000
DiGi رقم الجزء
NSVMMUN2131LT1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PDTA123ET,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
22
DiGi رقم الجزء
PDTA123ET,215-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PDTA123ETVL
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
9990
DiGi رقم الجزء
PDTA123ETVL-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DTA143XEFRATL
TRANS PREBIAS PNP 0.1A EMT3
DTA143TETL
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
DTC124ECAT116
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3