رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RS6P060BHTB1
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RS6P060BHTB1-DG
وصف:
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
المخزون:
2290 قطع جديدة أصلية في المخزون
12990015
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RS6P060BHTB1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1560 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 73W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-HSOP
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
RS6P060
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
846-RS6P060BHTB1DKR
846-RS6P060BHTB1TR
846-RS6P060BHTB1CT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RD3L03BBGTL1
NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
DMTH45M5LPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMTH45M5SPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
