رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SP8M10FRATB
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
SP8M10FRATB-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 7A (Ta), 4.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
المخزون:
1181 قطع جديدة أصلية في المخزون
12905226
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
qnZ0
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SP8M10FRATB المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate, 4V Drive
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Ta), 4.5A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 7A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.4nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
600pF @ 10V, 850pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOP
رقم المنتج الأساسي
SP8M10
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
846-SP8M10FRATBDKR
846-SP8M10FRATBTR
846-SP8M10FRATBCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SP8M4HZGTB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1979
DiGi رقم الجزء
SP8M4HZGTB-DG
سعر الوحدة
0.93
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXMN10A08DN8TC
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
ZXMN6A11DN8TC
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
ZXMC4559DN8TA
MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
