رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF640FP
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF640FP-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
المخزون:
12876634
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF640FP المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
MESH OVERLAY™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
180mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1560 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IRF6
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQPF19N20C
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
783
DiGi رقم الجزء
FQPF19N20C-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FQPF19N20
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
15905
DiGi رقم الجزء
FQPF19N20-DG
سعر الوحدة
1.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFI640GPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1352
DiGi رقم الجزء
IRFI640GPBF-DG
سعر الوحدة
0.95
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STS5PF30L
MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
STB10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
IRF520
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
