رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STB13NM60N
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STB13NM60N-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
1000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12878749
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
hFNl
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STB13NM60N المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
MDmesh™ II
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
790 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
90W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
STB13
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
497-10984-1-DG
STB13NM60N-DG
-1138-STB13NM60NCT
497-STB13NM60NTR
497-10984-6
497-10984-2-DG
497-STB13NM60NDKR
497-10984-2
497-10984-1
497-STB13NM60NCT
-1138-STB13NM60NTR
497-10984-6-DG
-1138-STB13NM60NDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STB30N80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK
STF24N60M2
N-channel 600 V, 168 mOhm typ.,
STP95N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
