رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STL115N10F7AG
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STL115N10F7AG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 107A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerFlat™ (5x6)
المخزون:
4731 قطع جديدة أصلية في المخزون
12878652
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STL115N10F7AG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
STripFET™ F7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
107A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6mOhm @ 53A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
72.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5600 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
136W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount, Wettable Flank
حزمة جهاز المورد
PowerFlat™ (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
STL115
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
497-17622-2
497-17622-1
497-17622-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STF27N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
STW65N60DM6
MOSFET N-CH 600V 38A TO247
SI2101-TP
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
