رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP80N600K6
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP80N600K6-DG
وصف:
N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
44 قطع جديدة أصلية في المخزون
13000717
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP80N600K6 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
540 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
86W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP80
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-STP80N600K6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STWA65N023M9
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
DMT3006LFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMTH6002LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506