رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP8NK80Z
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP8NK80Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 6.2A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
1024 قطع جديدة أصلية في المخزون
12877384
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP8NK80Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperMESH™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1320 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
140W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP8NK80
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-15685-5
-497-15685-5
STP8NK80Z-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STL23NM50N
MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8
STP36NF06L
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
STD3NM60N
MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
