STU11N65M2
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

STU11N65M2

Product Overview

المُصنّع:

STMicroelectronics

رقم الجزء DiGi Electronics:

STU11N65M2-DG

وصف:

MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

المخزون:

814 قطع جديدة أصلية في المخزون
12945742
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
CyHZ
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

STU11N65M2 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ II Plus
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
670mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
410 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
85W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-251 (IPAK)
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
STU11

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
ST(D, P, U)11N65M2

معلومات إضافية

الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
-497-15043-5
497-15043-5

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
stmicroelectronics

STY140NS10

MOSFET N-CH 100V 140A MAX247

stmicroelectronics

STK820

MOSFET N-CH 25V 21A POLARPAK

stmicroelectronics

STW13NM50N

MOSFET N-CH 500V 12A TO247-3

stmicroelectronics

STD150NH02LT4

MOSFET N-CH 24V 150A DPAK