رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SA965-O,F(J
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SA965-O,F(J-DG
وصف:
TRANS PNP 120V 0.8A TO92MOD
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 800 mA 120MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
المخزون:
12890727
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SA965-O,F(J المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
800 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
120 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1V @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 100mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
900 mW
التردد - الانتقال
120MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
حزمة جهاز المورد
TO-92MOD
رقم المنتج الأساسي
2SA965
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SA965-OF(J
2SA965OFJ
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
2SA1201-Y(TE12L,ZC
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
788
DiGi رقم الجزء
2SA1201-Y(TE12L,ZC-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SA1930(LBS2MATQ,M
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
2SC5171(ONK,Q,M)
TRANS NPN 180V 2A TO220NIS
2SA1887(F)
TRANS PNP 50V 10A TO220NIS
