رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SB1375,CLARIONF(M
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SB1375,CLARIONF(M-DG
وصف:
TRANS PNP 60V 3A TO220NIS
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 9MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
المخزون:
12891276
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SB1375,CLARIONF(M المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
3 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
60 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.5V @ 200mA, 2A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 500mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
2 W
التردد - الانتقال
9MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
حزمة جهاز المورد
TO-220NIS
رقم المنتج الأساسي
2SB1375
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SB1375CLARIONF(M
2SB1375CLARIONFM
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SD2206(TE6,F,M)
TRANS NPN 100V 2A TO92MOD
2SC4793,TOA1F(J
TRANS NPN 230V 1A TO220NIS
2SA2154CT-GR,L3F
TRANS PNP 50V 0.1A CST3